型号:FQB4N20LTM | 类别:FET - 单 | 制造商:Fairchild Semiconductor |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK |
系列 | QFET™ |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.35 欧姆 @ 1.9A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 5.2nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 310pF @ 25V |
功率_最大 | 3.13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市金芯阳科技有限公司 | 刘生075584505750 |
深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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